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IRF7201
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss =C ds +C gd
20
16
I D = 4.6A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
C oss
12
8
200
C rss
4
0
A
0
A
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
D = 0.50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
Notes:
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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